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三菱 - MITSUBISHI | 高功率电源 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
3页 | 51K | |
描述 | ||
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | R-PUFM-D4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.75 |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 应用: | HIGH POWER |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.35 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-D4 |
最大非重复峰值正向电流: | 3500 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 150 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1200 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM150DZ-2H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM150DZ-H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM150DZ-M | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | |
RM150M | ETC |
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R. F. Molded Chokes | |
RM150N100ADF | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 128 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.1 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM150N100AHD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM150N100AT2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (n | |
RM150N100HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM150N100T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge ( | |
RM150N150HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.2 mOhms;Total Gate Charge ( |