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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
高功率电源 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 3页 | 51K |  |
| 描述 | ||
| HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | R-PUFM-D4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 应用： | HIGH POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 3500 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 150 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM150M | ETC |
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R. F. Molded Chokes |
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| RM150N100ADF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 128 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.1 mOhms;Total Gate Charge ( |
|
| RM150N100AHD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM150N100AT2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (n |
|
| RM150N100HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM150N100T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 100 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM150N150HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 150 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 7.2 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM150N30ALD | RECTRON |
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Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.6 mOhms;Total Gate Charge (n |
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| RM150N30LT2 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.0 mOhms;Total Gate Charge (n |
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| RM150N40DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.6 mOhms;Total Gate Charge (n |
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