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RECTRON | ![]() |
栅 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 2633K | ![]() |
描述 | ||
Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.6 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 40 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 107 W;Vgs(th) (typ) : 1.5 V;Input Capacitance (Ciss) : 3000 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : DFN5X6-8L |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM150N40DFV | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.6 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM150N60DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.7 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM150N60DFV | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1.9 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM150N60HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM150N60T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.4 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM150N80DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 80 V;Id @ 25C (A) : 150 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.5 mOhms;Total Gate Charge (n |
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RM150UZ-24 | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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RM150UZ-2H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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RM150UZ-H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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RM150UZ-M | MITSUBISHI |
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HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
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