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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | R-PUFM-X3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 应用： | HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.35 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2000 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 100 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRKD71/10 | VISHAY |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 80A, 1000V V(RRM), Silicon, ADD-A-PAK-2 |
|
| CDD11210 | POWEREX |
功能相似 |
Dual Diode POW-R-BLOK⑩ Modules 100 Amperes/12 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM100DZ-2H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM100DZ-H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM100DZ-M | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE |
|
| RM100HA-20F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1000V V(RRM), Silicon, |
|
| RM100HA-24F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon, |
|
| RM100HA-XXF | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| RM100N30DF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.6 mOhms;Total Gate Charge |
|
| RM100N40DF | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge |
|
| RM100N60AT2 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms;Total Gate Charge (n |
|
| RM100N60BT2 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.3 mOhms;Total Gate Charge (n |
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