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RM100SZ-6R

更新时间: 2024-11-19 22:08:07
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三菱 - MITSUBISHI 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
MEDIUM POWER GENERAL USE NON-INSULATED TYPE

RM100SZ-6R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PUFM-X3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.87
应用:MEDIUM POWER外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON ANODE, 3 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.15 V
JESD-30 代码:R-PUFM-X3最大非重复峰值正向电流:2000 A
元件数量:3相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:300 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RM100SZ-6R 数据手册

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MITSUBISHI DIODE MODULES  
RM100SZ-6S,-6R  
MEDIUM POWER GENERAL USE  
NON-INSULATED TYPE  
RM100SZ-6S,6R  
IF(AV) Average forward current .......... 100A  
VRRM Repetitive peak reverse voltage  
....................... 300V  
TRIPLE ARMS  
Non-Insulated Type  
APPLICATION  
Welders  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
93.5  
80  
(S)  
2–φ6.5  
A1  
A2  
A
3
SR  
1
SR  
2
SR3  
17.5  
20  
20  
3–M5  
K
(R)  
K
1
K
2
K
3
SR  
1
SR  
2
SR3  
LABEL  
A
Feb.1999  

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