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RM100HA-20F

更新时间： 2024-11-20 19:39:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		快速恢复二极管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	51K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1000V V(RRM), Silicon,

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RM100HA-20F 技术参数

MITSUBISHI FAST RECOVERY DIODE MODULES

RM100HA-XXF

HIGH SPEED SWITCHING USE

INSULATED TYPE

RM100HA-XXF

• IDC

DC current ................................ 100A

• VRRM Repetitive peak reverse voltage

.......... 600/1000/1200V

• trr

Reverse recovery time .............0.8µs

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

Free wheel use, Welders

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

53.5

43.3

φ5.3

3–M4

LABEL

Feb.1999

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM100HA-24F	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon,
RM100HA-XXF	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM100N30DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.6 mOhms;Total Gate Charge
RM100N40DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge
RM100N60AT2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms;Total Gate Charge (n
RM100N60BT2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.3 mOhms;Total Gate Charge (n
RM100N60DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms;Total Gate Charge (n
RM100N60DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 65 V;Id @ 25C (A) : 95 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM100N60HD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms;Total Gate Charge (n
RM100N60LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 65 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 4.8 mOhms;Total Gate Charge (n