RM100DZ-H

更新时间： 2024-11-19 22:07:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE

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RM100DZ-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.73	其他特性：	UL RECOGNIZED
应用：	HIGH POWER	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.25 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X3	最大非重复峰值正向电流：	2000 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	100 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MITSUBISHI DIODE MODULES

RM100DZ/CZ-M,-H

HIGH POWER GENERAL USE

INSULATED TYPE

RM100DZ/CZ-M,-H

• IF(AV) Average forward current .......... 100A

• VRRM Repetitive peak reverse voltage

................400/800V

• DOUBLE ARMS

• Insulated Type

• UL Recognized

Yellow Card No. E80276 (N)

File No. E80271

APPLICATION

AC motor controllers, DC motor controllers, Battery DC power supplies,

DC power supplies for control panels, and other general DC power equipment

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

93.5

(DZ)

2–φ6.5

A1K2

SR1

SR2

17.5

3–M5

(CZ)

SR2

SR1

LABEL

Feb.1999

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM100DZ-M	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER GENERAL USE INSULATED TYPE
RM100HA-20F	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1000V V(RRM), Silicon,
RM100HA-24F	MITSUBISHI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 100A, 1200V V(RRM), Silicon,
RM100HA-XXF	MITSUBISHI	获取价格	HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE
RM100N30DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 30 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.6 mOhms;Total Gate Charge
RM100N40DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 100.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.0 mOhms;Total Gate Charge
RM100N60AT2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms;Total Gate Charge (n
RM100N60BT2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.3 mOhms;Total Gate Charge (n
RM100N60DF	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 100 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 5.7 mOhms;Total Gate Charge (n
RM100N60DFV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 65 V;Id @ 25C (A) : 95 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.8 mOhms;Total Gate Charge (nQ