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RFP3055

更新时间： 2024-11-12 03:37:07
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哈里斯 - HARRIS 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 118K
描述
12A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs)

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RFP3055 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N其他特性：MEGAFET
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：53 W
最大功率耗散 (Abs)：53 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：40 ns最大开启时间（吨）：40 ns
Base Number Matches：1

RFP3055 数据手册

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RFD3055, RFD3055SM  
RFP3055  
S E M I C O N D U C T O R  
12A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel  
Enhancement-Mode Power MOSFETs (MegaFETs)  
February 1994  
Features  
Packaging  
JEDEC TO-220AB  
• 12A, 60V  
TOP VIEW  
• rDS(ON) = 0.150Ω  
SOURCE  
• Temperature Compensating PSPICE Model  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
DRAIN  
GATE  
• +175oC Operating Temperature  
JEDEC TO-251AA  
TOP VIEW  
Description  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
The RFD3055, RFD3055SM and RFP3055 N-Channel  
power MOSFETs are manufactured using the MegaFET pro-  
cess. This process, which uses feature sizes approaching  
those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of  
silicon, resulting in outstanding performance. They were  
designed for use in applications such as switching regula-  
tors, switching converters, motor drivers, relay drivers and  
emitter switches for bipolar transistors. These transistors  
can be operated directly from integrated circuits.  
JEDEC TO-252AA  
TOP VIEW  
SOURCE  
DRAIN  
GATE  
The RFD3055 is supplied in the JEDEC TO-251AA plastic  
package, the RFD3055SM is supplied in the JEDEC  
TO-252AA plastic package and the RFP3055 is supplied in the  
JEDEC TO-220AB plastic package. Due to space limitations  
the RFD3055 and RFD3055SM are branded FD3055.  
Symbol  
When ordering use the entire part number; eg.  
RFD3055SM.  
D
Developmental type TA49082.  
G
S
o
Absolute Maximum Ratings (T = +25 C), Unless Otherwise Specified  
C
RFD3055, RFD3055SM, RFP3055  
UNITS  
Drain Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
60  
60  
V
V
V
DSS  
Drain Gate Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Drain Current  
±20  
GS  
RMS Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
12  
Refer to Peak Current Curve  
Refer to UIS Curve  
30  
A
D
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E  
AS  
Maximum Avalanche Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
A
AM  
Power Dissipation  
o
T
= +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
53  
W
C
D
o
o
Derate above +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P  
0.357  
W/ C  
T
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
, T  
-55 to +175  
C
STG  
J
Copyright © Harris Corporation 1994  
File Number 3648  
1
12345678

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RFP3055 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MTP3055VL ONSEMI

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 		暂无描述
RFP3055RLE ETC

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