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RFP-10-50TV

更新时间： 2024-11-18 03:37:07

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安伦 - ANAREN		射频和微波射频端接器微波端接器
页数	文件大小	规格书
2页	506K
描述
Flanged Terminations

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RFP-10-50TV 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	MODULE
最大输入功率 (CW)：	40 dBm	JESD-609代码：	e4
最大工作频率：	4000 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
射频/微波设备类型：	RF/MICROWAVE TERMINATION	端子面层：	SILVER
最大电压驻波比：	1.25	Base Number Matches：	1

RFP-10-50TV 数据手册

Model RFP-10-50TV

Flanged Terminations

10 Watts, 50 Ω

General Specifications

Resistive Element:

Thick film

Substrate:

Cover:

Beryllium oxide ceramic

Alumina ceramic

Mounting Flange:

Copper, nickel plated per

QQ-N-290

Lead(s):

99.99% pure silver (.005” thk)

Features

• DC - 4.0 GHz

Electrical Specifications

Resistance Value:

Frequency Range:

Power:

50 ohms, 5%

• 10 Watts

DC - 4.0 GHz

10 Watts

1.25:1

• BeO Ceramic

• Welded Silver Leads

V.S.W.R.:

Notes: Tolerance is .010, unless otherwise specified. Operating

temperature is -55°C to +150°C (see chart). Designed to meet or

exceed applicable portions of MIL-E-5400. All dimensions are in

inches. Lead length 0.15” minimum.

• Non-Nichrome Resistive

Element

• Low VSWR

Specifications subject to change without notice.

• 100% Tested

Outline Drawing

.200

.100

.060

.116 DIA.

.050

.100

.120

VER. 12/5/01

Sales Desk USA: Voice: (800) 544-2414 Fax: (315) 432-9121

Sales Desk Europe: Voice: (+44) 23 92 232392 Fax: (+44) 23 92 251369

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与RFP-10-50TV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFP-10-50TVC	ANAREN	获取价格	Flanged Terminations
RFP-10-50TVC-S	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-1
RFP-10-50TVR	ANAREN	获取价格	Flanged Terminations
RFP-10-50TVV	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm
RFP-10H50TVC	ANAREN	获取价格	RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm
RFP10N12	GE	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RFP10N12	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
RFP10N12L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 120V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-220AB
RFP10N15	GE	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RFP10N15	INTERSIL	获取价格	10A, 150V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFETs