生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | Is Samacsys: | N |
特性阻抗: | 50 Ω | 构造: | MODULE |
最大输入功率 (CW): | 40 dBm | JESD-609代码: | e4 |
最大工作频率: | 4000 MHz | 最小工作频率: | |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
射频/微波设备类型: | RF/MICROWAVE TERMINATION | 端子面层: | SILVER |
最大电压驻波比: | 1.25 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RFP-10-50TVC | ANAREN |
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Flanged Terminations | |
RFP-10-50TVC-S | ANAREN |
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RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm, ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-1 | |
RFP-10-50TVR | ANAREN |
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Flanged Terminations | |
RFP-10-50TVV | ANAREN |
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RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm | |
RFP-10H50TVC | ANAREN |
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RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 4000MHz Max, 50ohm | |
RFP10N12 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS | |
RFP10N12 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 120V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | |
RFP10N12L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB | |
RFP10N15 | GE |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS | |
RFP10N15 | INTERSIL |
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10A, 150V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |