生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.77 | 特性阻抗: | 50 Ω |
构造: | MODULE | 最大输入功率 (CW): | 40 dBm |
最大工作频率: | 6000 MHz | 最小工作频率: | |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
射频/微波设备类型: | RF/MICROWAVE TERMINATION | 最大电压驻波比: | 1.25 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RFP-10N50TV | ANAREN |
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Aluminum Nitride Terminations | |
RFP-10N50TVR | ANAREN |
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Aluminum Nitride Terminations | |
RFP10P03L | HARRIS |
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10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET | |
RFP10P03L | INTERSIL |
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10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET | |
RFP10P12 | GE |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS | |
RFP10P15 | INTERSIL |
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-10A, -150V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET | |
RFP10P15 | GE |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS | |
RFP-125-50TS-S | ANAREN |
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Flangeless Termination 125 Watts, 50Ohms | |
RFP12N06 | FAIRCHILD |
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17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | |
RFP12N06RLE | FAIRCHILD |
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17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET |