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RFP10P03L

更新时间： 2024-09-16 09:50:11

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哈里斯 - HARRIS		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
12页	275K
描述
10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET

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RFP10P03L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	功耗环境最大值：	60 W
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	120 ns
最大开启时间（吨）：	110 ns	Base Number Matches：	1

RFP10P03L 数据手册

RFD10P03L, RFD10P03LSM,

RFP10P03L

S E M I C O N D U C T O R

10A, 30V, 0.200Ω, Logic Level

P-Channel Power MOSFET

May 1997

Features

Description

• 10A, 30V

• r = 0.200Ω

These products are P-Channel power MOSFETs manufac-

tured using the MegaFET process. This process, which uses

feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-

mum utilization of silicon, resulting in outstanding perfor-

mance. They were designed for use in applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

and relay drivers. These transistors can be operated directly

from integrated circuits.

DS(ON)

• Temperature Compensating PSPICE Model

• PSPICE Thermal Model

• Peak Current vs Pulse Width Curve

• UIS Rating Curve

• 175 C Operating Temperature

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

RFD10P03L

PACKAGE

TO-251AA

BRAND

10P03L

F10P03L

RFD10P03LSM

RFP10P03L

TO-252AA

TO-220AB

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the sufﬁx, 9A,

to obtain the TO-252AA variant in tape and reel, i.e. RFD10P03LSM9A..

Formerly developmental type TA49205.

Packaging

JEDEC TO-220AB

JEDEC TO-251AA

SOURCE

DRAIN

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN (FLANGE)

GATE

JEDEC TO-252AA

DRAIN (FLANGE)

GATE

SOURCE

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Users should follow proper ESD Handling Procedures.

File Number 3515.1

12 3 4 5 6 7...12

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与RFP10P03L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RFP10P12	GE	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RFP10P15	INTERSIL	获取价格	-10A, -150V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
RFP10P15	GE	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RFP-125-50TS-S	ANAREN	获取价格	Flangeless Termination 125 Watts, 50Ohms
RFP12N06	FAIRCHILD	获取价格	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
RFP12N06RLE	FAIRCHILD	获取价格	17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
RFP12N06RLE	INTERSIL	获取价格	12A, 60V, 0.135 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFETs
RFP12N08	INTERSIL	获取价格	12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RFP12N08	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 80V 12A
RFP12N08L	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 80V 12A

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