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RFP-10N50TVR

更新时间： 2024-01-07 04:03:33

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安伦 - ANAREN		射频和微波射频端接器微波端接器
页数	文件大小	规格书
2页	499K
描述
Aluminum Nitride Terminations

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RFP-10N50TVR 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	MODULE
最大输入功率 (CW)：	40 dBm	最大工作频率：	6000 MHz
最小工作频率：		最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	射频/微波设备类型：	RF/MICROWAVE TERMINATION
最大电压驻波比：	1.25	Base Number Matches：	1

RFP-10N50TVR 数据手册

Model RFP-10N50TVR

Aluminum Nitride Terminations

10 Watts, 50 Ω

General Specifications

Resistive Element:

Thick film

Substrate:

Cover:

Mounting Flange:

Aluminum nitride ceramic

Alumina ceramic

Copper, nickel plated per

QQ-N-290

Lead(s):

99.99% pure silver (.005” thk)

Features

• DC – 6.0 GHz

Electrical Specifications

• 10 Watts

Resistance Value:

Frequency Range:

Power:

50 ohms, 5%

DC - 6.0 GHz

10 Watts

1.25:1

• Aluminum Nitride (AlN) Ceramic

• Welded Silver Leads

V.S.W.R.:

• Non-Nichrome Resistive

Element

Notes: Tolerance is .010, unless otherwise specified. Operating tem-

perature is -55°C to +150°C (see chart). Designed to meet or exceed

applicable portions of MIL-E-5400. All dimensions are in inches. Lead

length 0.15” minimum.

• Low VSWR

Specifications subject to change without notice.

• 100% Tested

Outline Drawing

.200

.100

.060

.116 DIA.

.100

.300

N50

.050

.100

.130

VER. 12/5/01

Sales Desk USA: Voice: (800) 544-2414 Fax: (315) 432-9121

Sales Desk Europe: Voice: (+44) 23 92 232392 Fax: (+44) 23 92 251369

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与RFP-10N50TVR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RFP10P03L	HARRIS	10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET	获取价格
RFP10P03L	INTERSIL	10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET	获取价格
RFP10P12	GE	P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS	获取价格
RFP10P15	INTERSIL	-10A, -150V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET	获取价格
RFP10P15	GE	P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS	获取价格
RFP-125-50TS-S	ANAREN	Flangeless Termination 125 Watts, 50Ohms	获取价格