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RFP10N15

更新时间: 2024-11-06 09:50:11
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通用电气 - GE 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 216K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

RFP10N15 数据手册

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与RFP10N15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFP10N15L ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
RFP-10N50T ANAREN

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RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 6000MHz Max, 50ohm
RFP-10N50TV ANAREN

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Aluminum Nitride Terminations
RFP-10N50TVR ANAREN

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Aluminum Nitride Terminations
RFP10P03L HARRIS

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10A, 30V, 0.200 ohm, Logic Level P-Channel Power MOSFET
RFP10P03L INTERSIL

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10A, 30V, 0.200 Ohm, Logic Level, P-Channel Power MOSFET
RFP10P12 GE

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P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RFP10P15 INTERSIL

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-10A, -150V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
RFP10P15 GE

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P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
RFP-125-50TS-S ANAREN

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Flangeless Termination 125 Watts, 50Ohms