5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.26 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RFD14N05SM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
14A, 50V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD14N05SM9A | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，功率 MOSFET，50V，14A，100mΩ |
|
| RFD14N05SM9A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| RFD14N06 | INTERSIL |
获取价格 |
14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD14N06L | INTERSIL |
获取价格 |
14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD14N06LSM | INTERSIL |
获取价格 |
14A, 60V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
|
| RFD14N06LSM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| RFD14N06LSM9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| RFD14N06SM | RENESAS |
获取价格 |
14A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
|
| RFD14N06SM9A | RENESAS |
获取价格 |
14A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
