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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> PTFA212401F
PTFA212401F PDF预览

PTFA212401F

更新时间： 2024-11-23 06:05:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
11页 488K
描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 – 2170 MHz

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PTFA212401F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.76Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：GOLD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTFA212401F 数据手册

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PTFA212401E  
PTFA212401F  
Confidential, Limited Internal Distribution  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
240 W, 2110 – 2170 MHz  
Description  
The PTFA212401E and PTFA212401F are 240-watt LDMOS FETs  
designed for single- and two-carrier WCDMA power amplifier  
applications in the 2110 to 2170 MHz band. Features include input  
and output matching, and thermally-enhanced packages with slotted  
or earless flanges. Manufactured with Infineon's advanced LDMOS  
process, these devices provide excellent thermal performance and  
superior reliability.  
PTFA212401E  
Package H-36260-2  
PTFA212401F  
Package H-37260-2  
Features  
Single-carrier WCDMA Drive-up  
VDD = 30 V, IDQ = 1600 mA, ƒ = 2140 MHz,  
3GPP WCDMA signal, TM1 w/16 DPCH, 67%  
clipping, PAR = 8.5 dB, 3.84 MHz BW  
•
Thermally-enhanced packages, Pb-free and  
RoHS compliant  
•
•
Broadband internal matching  
Typical two-carrier WCDMA performance at  
2140 MHz, 30 V, 3GPP signal, PAR = 8 dB  
- Average output power = 47.0 dBm  
- Linear Gain = 15.8 dB  
- Efficiency = 28%  
- Intermodulation distortion = –35 dBc  
- Adjacent channel power = –40 dBc  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
-55  
-60  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
ACPR Up  
ACPR Low  
•
Typical single-carrier WCDMA performance at  
2140 MHz, 30 V, 3GPP signal, PAR = 8.5 dB  
- Average output power = 49 dBm  
- Linear Gain = 15.8 dB  
- Efficiency = 34%  
- Adjacent channel power = –33 dBc  
Efficiency  
36  
38  
40  
42  
44  
46  
48  
•
•
Typical CW performance, 2140 MHz, 30 V  
- Output power at P–1dB = 240 W  
- Efficiency = 54%  
Average Output Power (dBm)  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Capable of handling 5:1 VSWR @ 30 V,  
240 W (CW) output power  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 11  
Rev. 04, 2009-10-05  
1234567...11

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与PTFA212401F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA212401FV4 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA220041M INFINEON

获取价格

 		High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 4 W, 700 - 2200 MHz
PTFA220041M_16 INFINEON

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 		High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 4
PTFA220041MV4 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA220041MV4R1K INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor,
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PTFA220081MV4XUMA1 INFINEON

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 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxid
PTFA220121M INFINEON

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 		High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 700-2200 MHz

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