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PTFA240451EV1

更新时间： 2024-11-20 15:48:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 185K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-30265, 2 PIN

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PTFA240451EV1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, S-CDFM-F2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：S-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTFA240451EV1 数据手册

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PTFA240451E  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET  
45 W, 2420 – 2480 MHz  
Description  
The PTFA240451E is a thermally-enhanced, 45-watt, internally-  
®
matched GOLDMOS FET intended for CDMA2000 and WiMAX  
PTFA240451E  
Package H-30265-2  
applications from 2420 to 2480 MHz.Thermally-enhanced packaging  
provides the coolest operation available. Full gold metallization  
ensures excellent device lifetime and reliability.  
Features  
•
Thermally-enhanced, lead-free and  
Three-Carrier CDMA2000 Performance  
RoHS•compliant packaging  
VDD = 28 V, IDQ = 450 mA, ƒ = 2450 MHz  
•
•
Broadband internal matching  
Efficiency  
Typical two-carrier CDMA performance at 2450  
MHz, 28 V  
- Average output power = 10 W  
- Linear Gain = 14 dB  
- Efficiency = 27%  
- Adjacent channel power = –45 dBc  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
-38  
-42  
-46  
-50  
-54  
-58  
-62  
-66  
-70  
-74  
ACP Up  
ACP Low  
ALT Up  
•
•
Typical CW performance, 2450 MHz, 28 V  
- Output power at P–1dB = 50 W  
- Efficiency = 54%  
Efficiency  
40  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
0
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,  
45 W (CW) output power  
30  
32  
34  
36  
38  
42  
Output Power, Avg. (dBm)  
RF Characteristics  
3-Carrier CDMA2000 Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
= 28 V, I = 450 mA, P = 14 W average, ƒ = 2450 MHz, channel bandwidth = 3.75 MHz; ACPR measured in 30 kHz  
V
DD  
DQ  
OUT  
bandwidth at ƒ  
2.135 MHz offset  
C
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
—
Typ  
14  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
hD  
—
31  
—
%
Adjacent Channel Power Ratio  
ACPR  
—
–45  
—
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 10  
Rev. 04, 2008-03-04  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA240451F INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA241301E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz
PTFA241301F INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz
PTFA241301FV1 INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 1
PTFA260451E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 85
PTFA260851EV1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PTFA260851F INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 85
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