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PTFA261301EV1

更新时间： 2024-11-20 19:50:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 243K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-30260-2, 2 PIN

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PTFA261301EV1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-XDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTFA261301EV1 数据手册

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PTFA261301E  
PTFA261301F  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
130 W, 2.62 – 2.68 GHz  
Description  
The PTFA261301E and PTFA261301F are thermally-enhanced 130-watt,  
®
internally-matched GOLDMOS FETs intended for ultra-linear  
PTFA261301E  
Package H-30260-2  
applications. They are characterized for CDMA, CDMA2000, Super3G  
(3GPP TSG RAN), and WiMAX operation from 2620 to 2680 MHz. Full  
gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.  
PTFA261301F  
Package H-31260-2  
Features  
3-Carrier CDMA2000 Performance  
at 28 Volts  
•
Thermally-enhanced, Pb-free packages,  
RoHS-compliant  
IDQ = 1.4 A, ƒ = 2680 MHz  
•
•
Broadband internal matching  
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
-70  
30  
25  
20  
15  
10  
5
Typical CDMA performance at 2.68 GHz  
- Average output power = 26 W  
- Linear Gain = 13 dB  
Efficiency  
- Efficiency = 24%  
•
•
Typical CW performance, 2680 MHz, 28 V  
- Output power at P–1dB = 152 W  
- Efficiency = 47%  
Alt2  
Alt  
Integrated ESD protection: Human Body  
Model, Class 2 (minimum)  
ACPR  
30  
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 130  
W (CW) output power  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
35  
Output Power, avg. (W)  
RF Performance  
CDMA IS-95 Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
= 28 V, I = 1.4 A, P = 26 W average, ƒ = 2680 MHz  
V
DD  
DQ  
OUT  
Characteristic  
Symbol  
Min  
—
Typ  
–45  
13  
Max  
—
Unit  
dBc  
dB  
Adjacent Channel Power Ratio  
Gain  
ACPR  
G
ps  
—
—
Drain Efficiency  
hD  
—
24  
—
%
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
Rev. 07, 2007-04-04  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 12  
1234567...12

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与PTFA261301EV1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA261301F INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2.62-2.68 GHz
PTFA261702E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 170 W, 2500 - 2700 MHz
PTFA261702EV1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
PTFAM1301A OPLINK

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 		Plug Type Fixed Attenuator
PTFAM1301B OPLINK

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PTFAM1301C OPLINK

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 		Plug Type Fixed Attenuator
PTFAM1301D OPLINK

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 		Plug Type Fixed Attenuator
PTFAM1302A OPLINK

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