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PTFA220121MV4

更新时间： 2024-11-20 20:05:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
21页 378K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SON-10

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PTFA220121MV4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N10
针数：10Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PDSO-N10
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：10工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PTFA220121MV4 数据手册

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PTFA220121M  
Confidential, Limited Internal Distribution  
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor  
12 W, 28 V, 700 – 2200 MHz  
Description  
PTFA220121M  
Package PG-SON-10  
The PTFA220121M is an unmatched 12-watt LDMOS FET intended  
for power amplifier applications in the 700 to 2200 MHz.This LDMOS  
device offers excellent gain, efficiency and linearity performance in a  
small overmolded plastic package.  
Features  
Two-tone Drive-up  
VDD = 28 V, IDQ = 150 mA,  
•
•
•
•
•
Typical two-carrier WCDMA performance at  
2140 MHz, 8 dB PAR  
- P = 33 dBm Avg  
ƒ1 = 876.95 MHz, ƒ2 = 877.05 MHz  
OUT  
- ACPR = –45.5 dBc  
-10  
-15  
-20  
-25  
-30  
-35  
-40  
-45  
-50  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
Typical two-carrier WCDMA performance at  
877 MHz, 8 dB PAR  
Efficiency  
- P  
= 33 dBm Avg  
OUT  
- ACPR = –44.5 dBc  
Typical CW performance, 2140 MHz, 28 V  
- P  
= 41.6 dBm  
OUT  
- Efficiency = 53.5%  
- Gain = 15.5 dB  
IMD3  
Typical CW performance, 877 MHz, 28 V  
- P  
= 41.8 dBm  
OUT  
- Efficiency = 60%  
- Gain = 19.9 dB  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 12 W  
(CW) output power  
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42  
Output Power, PEP (dBm)  
•
•
•
Integrated ESD protection  
Excellent thermal stability  
Pb-free and RoHS compliant  
RF Characteristics  
Two-tone Measurements (not subject to production test – verified by design / characterization in Infineon test fixture)  
V
= 28 V, I  
= 150 mA, P  
= 12 W PEP, ƒ = 877 MHz, tone spacing = 1 MHz  
DD  
DQ  
OUT  
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
20  
Typ  
20.5  
42.5  
–33  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
D  
41  
—
%
Intermodulation Distortion  
IMD  
—
–32  
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet – DRAFT ONLY 1 of 21  
Rev. 09, 2013-06-17  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA220121MV4R1K INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor,
PTFA220121MV4R1KV4XUMA1 INFINEON

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 		High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 1
PTFA220121MV4R1KXUMA1 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA220121MV4R250 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA220121MV4XUMA1 INFINEON

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz
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