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PTFA240451F

更新时间： 2024-11-20 21:12:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 229K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-31265, 2 PIN

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PTFA240451F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLATPACK, S-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：65 V
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：S-CDFP-F2JESD-609代码：e4
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：GOLD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTFA240451F 数据手册

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PTFA240451E  
PTFA240451F  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs  
45 W, 2420 – 2480 MHz  
Description  
The PTFA240451E and PTFA240451F are thermally-enhanced,  
45-watt, internally-matched GOLDMOS FETs intended for  
PTFA240451E  
Package H-30265-2  
®
CDMA2000 and WiMAX applications from 2420 to 2480 MHz.  
Thermally-enhanced packages provide the coolest operation  
available. Full gold metallization ensures excellent device lifetime  
and reliability.  
PTFA240451F*  
Package H-31265-2  
Features  
Three-Carrier CDMA2000 Performance  
•
Thermally-enhanced, lead-free and  
VDD = 28 V, IDQ = 450 mA, ƒ = 2450 MHz  
RoHS•compliant packages  
•
•
Broadband internal matching  
Efficiency  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
-38  
-42  
-46  
-50  
-54  
-58  
-62  
-66  
-70  
-74  
ACP Up  
ACP Low  
ALT Up  
Typical two-carrier CDMA performance at 2450  
MHz, 28 V  
- Average output power = 10 W  
- Linear Gain = 14 dB  
- Efficiency = 27%  
- Adjacent channel power = –45 dBc  
•
•
Typical CW performance, 2450 MHz, 28 V  
- Output power at P–1dB = 50 W  
- Efficiency = 54%  
Efficiency  
40  
Integrated ESD protection: Human Body Model,  
Class 2 (minimum)  
0
•
•
Excellent thermal stability, low HCI drift  
30  
32  
34  
36  
38  
42  
Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,  
45 W (CW) output power  
Output Power, Avg. (dBm)  
RF Characteristics  
3-Carrier CDMA2000 Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test fixture)  
= 28 V, I = 450 mA, P = 14 W average, ƒ = 2450 MHz, channel bandwidth = 3.75 MHz; ACPR measured in 30 kHz  
V
DD  
DQ  
OUT  
bandwidth at ƒ ± 2.135 MHz offset  
C
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
—
Typ  
14  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
Adjacent Channel Power Ratio  
hD  
—
31  
—
%
ACPR  
—
–45  
—
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
*See Infineon distributor for future availability.  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 12  
Rev. 03, 2006-07-17  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA241301E INFINEON

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 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz
PTFA241301F INFINEON

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