5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > PTFA220121MV4XUMA1
PTFA220121MV4XUMA1 PDF预览

PTFA220121MV4XUMA1

更新时间： 2024-11-20 19:43:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 372K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 4.00 X 4.00 MM, 1.42 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, SON-10

阅读下载

中文翻译

获取价格

PTFA220121MV4XUMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：4.00 X 4.00 MM, 1.42 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, SON-10
针数：10Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：S-PDSO-N10
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：10
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：200 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PTFA220121MV4XUMA1 数据手册

 浏览型号PTFA220121MV4XUMA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PTFA220121MV4XUMA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTFA220121MV4XUMA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTFA220121MV4XUMA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTFA220121MV4XUMA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PTFA220121MV4XUMA1的Datasheet PDF文件第7页 
PTVA120121M  
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET  
12 W, 50 V, 500 – 1400 MHz  
Description  
The PTVA120121M LDMOS FET is a 12-watt LDMOS FET designed  
for use in power amplifier applications in the 500 MHz to 1400 MHz  
frequency band.Features include high gain and a thermally-enhanced,  
surface-mount package. Manufactured with Infineon's advanced  
LDMOS process, this device provides excellent thermal performance  
PTVA120121M  
Package PG-SON-10  
and superior reliability.  
Features  
Single-carrier WCDMA Drive-up  
VDD = 48 V, IDQ = 50 mA, ƒ = 821 MHz  
3GPP WCDMA signal,  
•ꢀ Unmatched  
•ꢀ Target pulsed CW performance at 821 MHz, 48 V  
PAR = 10 dB, 3.84 MHz BW  
- Ouput power = 12 W P  
- Efficiency = 62%  
- Gain = 22 dB  
1dB  
24  
20  
16  
12  
8
75  
50  
25  
0
Gain  
•ꢀ Capable of withstanding a 10:1 load mismatch at  
Efficiency  
50 V, 12 W (CW) output power  
•ꢀ Integrated ESD protection  
•ꢀ Human Body Model class 1B (per ANSI/ESDA/  
JEDEC JS-001)  
•ꢀ Excellent thermal stability  
-25  
-50  
-75  
PAR @ 0.01% CCDF  
•ꢀ Pb-free and RoHS-compliant  
4
0
ptva120121m_g1  
25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41  
Average Output Power (dBm)  
RF Characteristics  
Single-carrier WCDMA Characteristics (tested in Infineon production test fixture)  
= 48 V, I = 35 mA, P = 3.5 W avg, ƒ = 821 MHz, 3GPP WCDMA signal: 3.84 MHz bandwidth, 10 dB PAR @0.01%  
V
DD  
DQ  
OUT  
CCDF.  
Characteristic  
Gain  
Symbol  
Min  
20.5  
35.5  
—
Typ  
21.5  
Max  
—
Unit  
dB  
G
ps  
Drain Efficiency  
hD  
38.5  
—
%
Adjacnet Channel Power Ratio  
ACPR  
–33.5  
–31.5  
dBc  
All published data at T  
= 25°C unless otherwise indicated  
CASE  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!  
Data Sheet 1 of 9  
Rev. 02.1, 2017-02-03  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与PTFA220121MV4XUMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PTFA240451E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 45 W, 2420-2480 MHz
PTFA240451EV1 INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA240451F INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA241301E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz
PTFA241301F INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 2420-2480 MHz
PTFA241301FV1 INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 1
PTFA260451E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 45 W, 2.62-2.68 GHz
PTFA260451F INFINEON

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
PTFA260851E INFINEON

获取价格

 		Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 85
PTFA260851EV1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

与PTFA220121MV4XUMA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证