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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.44 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.715 V | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 4 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.215 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAV70LT3G | ONSEMI |
功能相似  |
Dual Switching Diode Common Cathode |
|
| BAV70LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Switching Diode Common Cathode |
|
| BAV70 | DIOTEC |
功能相似 |
Surface mount Small Signal Double-Diodes |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD7100,215 | NXP |
获取价格 |
PMBD7100 - High-speed double diode TO-236 3-Pin |
|
| PMBD914 | NXP |
获取价格 |
High-speed diode |
|
| PMBD914 | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed switching diodeProduction |
|
| PMBD914,235 | NXP |
获取价格 |
PMBD914 - Single high-speed switching diode TO-236 3-Pin |
|
| PMBD914/DG | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
|
| PMBD914/DG,215 | NXP |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
|
| PMBD914/T3 | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| PMBD914_09 | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
|
| PMBD914-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed switching diodeProduction |
|
| PMBD914-T | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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