是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.16 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JEDEC-95代码: | TO-236AB |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.215 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.25 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向电流: | 5 µA | 最大反向恢复时间: | 0.004 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PMBD914T/R | NXP |
完全替代 ![]() |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
![]() |
PMBD914,235 | NXP |
类似代替 ![]() |
PMBD914 - Single high-speed switching diode TO-236 3-Pin |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMBD914_09 | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
![]() |
PMBD914-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed switching diodeProduction |
![]() |
PMBD914-T | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
![]() |
PMBD914T/R | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
![]() |
PMBD914TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
![]() |
PMBF107 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
![]() |
PMBF107235 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
![]() |
PMBF107-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
![]() |
PMBF107T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-236 |
![]() |
PMBF107TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
![]() |