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PMBF175

更新时间: 2024-11-15 19:40:19
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

PMBF175 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏源导通电阻:125 ΩFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMBF175 数据手册

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