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PMBF4391T/R

更新时间: 2024-02-26 14:23:36
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 101K
描述
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 50MA I(DSS) | TO-236

PMBF4391T/R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.16配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏源导通电阻:30 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):3.5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBF4391T/R 数据手册

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