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PMBF4393TRL

更新时间: 2024-11-15 13:00:51
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 45K
描述
TRANSISTOR 3 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

PMBF4393TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.19Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (ID):0.003 A最大漏源导通电阻:100 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):3.5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBF4393TRL 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBF4391; PMBF4392;  
PMBF4393  
N-channel FETs  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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