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PMBF5486

更新时间: 2024-11-14 22:44:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 100K
描述
N-channel field-effect transistors

PMBF5486 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.82Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:25 VFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):1 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMBF5486 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBF5484; PMBF5485;  
PMBF5486  
N-channel field-effect transistors  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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