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PMBF5486

更新时间: 2024-01-02 21:36:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 100K
描述
N-channel field-effect transistors

PMBF5486 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.78其他特性:LOW NOISE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):1 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBF5486 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBF5484; PMBF5485;  
PMBF5486  
N-channel field-effect transistors  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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