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PMBFJ108TRL

更新时间: 2024-11-15 13:12:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
130页 9375K
描述
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

PMBFJ108TRL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.37Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:25 V
最大漏源导通电阻:8 ΩFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):15 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMBFJ108TRL 数据手册

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for High Performance RF products  
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