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PMBFJ112

更新时间: 2024-11-14 22:27:35
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恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 40K
描述
N-channel junction FETs

PMBFJ112 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.35
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏源导通电阻:50 Ω
FET 技术:JUNCTIONJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBFJ112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBFJ111;  
PMBFJ112; PMBFJ113  
N-channel junction FETs  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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