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PMBFJ112

更新时间: 2024-02-27 08:43:26
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恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 40K
描述
N-channel junction FETs

PMBFJ112 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.25
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:40 V
最大漏源导通电阻:50 ΩFET 技术:JUNCTION
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBFJ112 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBFJ111;  
PMBFJ112; PMBFJ113  
N-channel junction FETs  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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