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PMBFJ174-T PDF预览

PMBFJ174-T

更新时间: 2024-11-28 13:00:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 38K
描述
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Small Signal

PMBFJ174-T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.37
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏源导通电阻:85 Ω
FET 技术:JUNCTIONJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

PMBFJ174-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMBFJ174 to 177  
P-channel silicon field-effect  
transistors  
April 1995  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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