5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.37 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏源导通电阻： | 85 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ174TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ174TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ175 | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, P-Channel, Junction FET, |
|
| PMBFJ175 | NXP |
获取价格 |
P-channel silicon field-effect transistors |
|
| PMBFJ175,215 | NXP |
获取价格 |
P-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ175-T | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| PMBFJ175T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7MA I(DSS) | TO-236 |
|
| PMBFJ175-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ175-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ175TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
