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PMBFJ110TRL13

更新时间: 2024-01-25 02:33:55
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恩智浦 - NXP /
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3页 84K
描述
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal

PMBFJ110TRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.2配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:25 V最大漏源导通电阻:18 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):15 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PMBFJ110TRL13 数据手册

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