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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.2 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏源导通电阻： | 30 Ω | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ112 | NXP |
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N-channel junction FETs |
|
| PMBFJ112,215 | NXP |
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N-channel FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBFJ112-215 | NXP |
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N-channel junction FETs Rev. 4 â 20 Septemb |
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| PMBFJ112-T | NXP |
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暂无描述 |
|
| PMBFJ112T/R | NXP |
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TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gener |
|
| PMBFJ112-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ112-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ112TRL | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| PMBFJ112TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| PMBFJ113 | NXP |
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N-channel junction FETs |
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