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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏源导通电阻： | 12 Ω |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 15 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBFJ109TRL | NXP |
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暂无描述 |
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| PMBFJ109TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ109TRL13 | YAGEO |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| PMBFJ110 | NXP |
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N-channel junction FETs |
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| PMBFJ110,215 | NXP |
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N-channel FET TO-236 3-Pin |
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| PMBFJ110-T | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gener |
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| PMBFJ110T/R | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 10MA I(DSS) | TO-236 |
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| PMBFJ110-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ110-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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| PMBFJ110TRL | NXP |
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TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
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