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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBF107TRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
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| PMBF170 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
|
| PMBF170 | PHILIPS |
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Transistor |
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| PMBF170,215 | NXP |
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PMBF170 - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-236 3-Pin |
|
| PMBF170/T1 | NXP |
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300mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBF170-T | NXP |
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暂无描述 |
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| PMBF170T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 250MA I(D) | TO-236 |
|
| PMBF170-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 250 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Si |
|
| PMBF170TRL | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpos |
|
| PMBF170TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpos |
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