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PMBD914/DG,215

更新时间： 2024-11-15 15:48:07

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
10页	66K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB

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PMBD914/DG,215 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.66
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.215 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.25 W	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PMBD914/DG,215 数据手册

PMBD914

Single high-speed switching diode

Rev. 06 — 11 February 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Single high-speed switching diode, fabricated in planar technology, and encapsulated in a

small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number^[1]

Package

NXP

JEDEC

PMBD914

SOT23

TO-236AB

PMBD914/DG

[1] /DG: halogen-free

1.2 Features

I High switching speed: t_rr≤ 4 ns

I Low leakage current

I Low capacitance: C_d≤ 1.5 pF

I Reverse voltage: V_R≤ 100 V

I Small SMD plastic package

I Repetitive peak reverse voltage:

_RRM≤ 100 V

1.3 Applications

I High-speed switching

1.4 Quick reference data

Table 2.

Quick reference data

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

215

100

Unit

[1]

[2]

I_F

forward current

V_R

t_rr

reverse voltage

reverse recovery time

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

[2] When switched from I_F= 10 mA to I_R= 10 mA; R_L= 100 Ω; measured at I_R= 1 mA.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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PMBD914-Q	NEXPERIA	获取价格	High-speed switching diodeProduction
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