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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.13 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.715 V |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 0.5 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 0.215 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD914/DG,215 | NXP |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
|
| PMBD914/T3 | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBD914_09 | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
|
| PMBD914-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed switching diodeProduction |
|
| PMBD914-T | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBD914T/R | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBD914TRL13 | YAGEO |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
|
| PMBF107 | NXP |
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N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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| PMBF107235 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
| PMBF107-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small S |
|
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