是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.16 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 0.5 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大输出电流: | 0.215 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
最大功率耗散: | 0.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 最大反向电流: | 5 µA |
最大反向恢复时间: | 0.004 µs | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BAS16T116 | ROHM |
功能相似 ![]() |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, SSD3, 3 PIN |
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SMBD914 | INFINEON |
功能相似 ![]() |
Silicon Switching Diode |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMBD914,235 | NXP |
获取价格 |
PMBD914 - Single high-speed switching diode TO-236 3-Pin |
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PMBD914/DG | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
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PMBD914/DG,215 | NXP |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
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PMBD914/T3 | NXP |
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0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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PMBD914_09 | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
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PMBD914-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed switching diodeProduction |
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PMBD914-T | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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PMBD914T/R | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
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PMBD914TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
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PMBF107 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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