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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.64 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.215 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 参考标准： | IEC-60134 | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BAS16T116 | ROHM |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, SSD3, 3 PIN |
|
| SMBD914 | INFINEON |
功能相似 |
Silicon Switching Diode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PMBD914,235 | NXP |
获取价格 |
PMBD914 - Single high-speed switching diode TO-236 3-Pin |
|
| PMBD914/DG | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
|
| PMBD914/DG,215 | NXP |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.215A, 100V V(RRM), Silicon, TO-236AB |
|
| PMBD914/T3 | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBD914_09 | NXP |
获取价格 |
Single high-speed switching diode |
|
| PMBD914-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
High-speed switching diodeProduction |
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| PMBD914-T | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBD914T/R | NXP |
获取价格 |
0.215A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| PMBD914TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
|
| PMBF107 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
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