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PMBD7100,215

更新时间: 2024-09-27 19:50:31
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
10页 76K
描述
PMBD7100 - High-speed double diode TO-236 3-Pin

PMBD7100,215 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-236
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:7.55
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.715 V
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:4 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.215 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.004 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

PMBD7100,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBD7100  
High-speed double diode  
Product data sheet  
2003 Nov 07  

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