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PESD5V0V1BL,315

更新时间： 2024-02-22 20:07:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网PC二极管电视
页数 文件大小 规格书
14页 268K
描述
PESD5V0V1BA; PESD5V0V1BB; PESD5V0V1BL - Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes DFN 2-Pin

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PESD5V0V1BL,315 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DFN
针数：2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：3.93Base Number Matches：1

PESD5V0V1BL,315 数据手册

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PESD5V0V1BA;  
PESD5V0V1BB; PESD5V0V1BL  
Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes  
Rev. 2 — 9 November 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Very low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diodes in  
small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages designed to protect one signal  
line from the damage caused by ESD and other transients.  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
Package configuration  
JEITA  
SC-76  
SC-79  
-
PESD5V0V1BA  
PESD5V0V1BB  
PESD5V0V1BL  
SOD323  
SOD523  
SOD882  
very small  
ultra small and flat lead  
leadless ultra small  
1.2 Features and benefits  
Bidirectional ESD protection of one line ESD protection up to 30 kV  
Very low diode capacitance: Cd = 11 pF IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)  
Max. peak pulse power: PPP = 45 W  
Low clamping voltage: VCL = 12.5 V  
Ultra low leakage current: IRM < 1 nA  
IEC 61000-4-5 (surge); IPP = 4.8 A  
AEC-Q101 qualified  
1.3 Applications  
Computers and peripherals  
Audio and video equipment  
Cellular handsets and accessories  
Communication systems  
Portable electronics  
10/100 Mbit/s Ethernet  
Subscriber Identity Module (SIM) card FireWire  
protection  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Quick reference data  
Tamb = 25 C unless otherwise specified.  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
-
Max  
5
Unit  
V
VRWM  
Cd  
reverse standoff voltage  
diode capacitance  
-
-
f = 1 MHz; VR = 0 V  
11  
13  
pF  
 
 
 
 
 
1234567...14

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PESD5V0V1BL,315 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
ESDALC5-1BM2 STMICROELECTRONICS

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