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PESD5V0V1BSF

更新时间： 2024-11-20 10:14:15
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恩智浦 - NXP 瞬态抑制器二极管局域网
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13页 197K
描述
Ultra low profile bidirectional very low capacitance ESD protection diode

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PESD5V0V1BSF 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：0.60 X 0.30 MM, 0.30 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRA SMALL PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.4Is Samacsys：N
最大击穿电压：10 V最小击穿电压：6 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散：8 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

PESD5V0V1BSF 数据手册

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PESD5V0V1BSF  
Ultra low profile bidirectional very low capacitance  
ESD protection diode  
Rev. 2 — 17 February 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Very low capacitance bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in  
a SOD962 leadless ultra small Surface-Mounted Device (SMD) package designed to  
protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients.  
1.2 Features and benefits  
„ Pb-free, Restriction of Hazardous Substances (RoHS) compliant and free of halogen  
and antimony (Dark Green compliant)  
„ Bidirectional ESD protection of one line  
„ Very low diode capacitance Cd = 3.5 pF  
„ ESD protection up to ±15 kV according to IEC 61000-4-2  
„ Ultra small SMD package  
„ Symmetrical breakdown voltage  
1.3 Applications  
„ Cellular handsets and accessories  
„ Portable electronics  
„ Communication systems  
„ Computers and peripherals  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.  
Symbol Parameter Conditions  
Min  
−5  
Typ  
-
Max  
5
Unit  
V
VRWM  
Cd  
reverse standoff voltage  
diode capacitance  
[1]  
f = 1 MHz; VR = 0 V  
2.5  
3.5  
4.5  
pF  
[1] This parameter is guaranteed by design.  
1234567...13

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PESD5V0V1BSF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PESD5V0V1BSF NEXPERIA

功能相似

 Ultra low profile bidirectional very low capacitance ESD protection diodeProduction
PESD5V0V1BSF,315 NXP

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 		DIODE 8 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, 0.60 X 0.30 MM, 0.30 MM HEIGHT, HALOGEN FREE
PESD5V0V1USF,315 NXP

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