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PESD5V0F1BL

更新时间： 2024-09-21 11:15:15
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安世 - NEXPERIA 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
11页 241K
描述
Femtofarad bidirectional ESD protection diodeProduction

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PESD5V0F1BL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：1.61Is Samacsys：N
其他特性：LOW CAPACITANCE最大击穿电压：10 V
最小击穿电压：6 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压：5.5 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PESD5V0F1BL 数据手册

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PESD5V0F1BL  
Femtofarad bidirectional ESD protection diode  
14 April 2023  
Product data sheet  
1. General description  
Femtofarad bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a leadless ultra small  
SOD882 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect one signal line from  
the damage caused by ESD and other transients. The combination of extremely low capacitance,  
high ESD maximum rating and ultra small package makes the device ideal for high-speed data line  
protection and antenna protection applications.  
2. Features and benefits  
•
Bidirectional ESD protection of one line  
•
•
•
•
•
Femtofarad capacitance: Cd = 400 fF  
Low ESD clamping voltage: 30 V at 30 ns and ± 8 kV  
Very low leakage current: IRM < 1 nA  
ESD protection up to 10 kV  
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)  
3. Applications  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
10/100/1000 Mbit/s Ethernet  
Portable electronics  
FireWire  
Communication systems  
High-speed data lines  
Computers and peripherals  
Subscriber Identity Module (SIM) card protection  
Audio and video equipment  
Cellular handsets and accessories  
Antenna protection  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VRWM  
reverse standoff  
voltage  
Tamb = 25 °C  
-
-
5.5  
V
Cd  
diode capacitance  
f = 1 MHz; VR = 0 V; Tamb = 25 °C  
-
0.4  
0.55  
pF  
 
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PESD5V0F1BL,315 NXP

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 		PESD5V0F1BL - Femtofarad bidirectional ESD protection diode DFN 2-Pin
PESD5V0F1BLD NXP

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 		TVS DIODE
PESD5V0F1BLD NEXPERIA

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