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PESD5V0F1BLD,315

更新时间： 2024-11-08 21:18:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	354K
描述
PESD5V0F1BLD - Femtofarad bidirectional ESD protection diode DFN 2-Pin

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PESD5V0F1BLD,315 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DFN	包装说明：	DFN1006D-2, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	8.03	其他特性：	LOW CAPACITANCE, IEC-61643-321
最大击穿电压：	10 V	最小击穿电压：	6 V
击穿电压标称值：	8 V	最大钳位电压：	11 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-N2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	BIDIRECTIONAL
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134; IEC-61000-4-2, 4-5	最大重复峰值反向电压：	5.5 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PESD5V0F1BLD,315 数据手册

PESD5V0F1BLD

DFN1006D-2

Femtofarad bidirectional ESD protection diode

Rev. 1 — 23 July 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Femtofarad bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode designed to

protect one signal line from the damage caused by ESD and other transients. The device

is encapsulated in a leadless ultra small DFN1006D-2 (SOD882D) Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.

The combination of extremely low capacitance, high ESD maximum rating and ultra small

package makes the device ideal for high-speed data line protection and antenna

protection applications.

1.2 Features and benefits

 Bidirectional ESD protection of one line  ESD protection up to 10 kV

 Femtofarad capacitance: C_d= 400 fF

 IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)

 Package height typ. 0.37 mm

 Low ESD clamping voltage: 30 V

at 30 ns and 8 kV

 Very low leakage current: I_RM< 1 nA

 AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

 10/100/1000 Mbit/s Ethernet

 FireWire

 Portable electronics

 Communication systems

 Computers and peripherals

 Audio and video equipment

 Antenna protection

 High-speed data lines

 SIM card protection

 Cellular handsets and accessories

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Per device

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_RWM

C_d

reverse standoff voltage

diode capacitance

5.5

f = 1 MHz; V_R= 0 V

0.4

0.55

12 3 4 5 6 7...11

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PESD5V0F1BRLD	NEXPERIA	获取价格	Femtofarad bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0F1BRLD-Q	NEXPERIA	获取价格	Femtofarad bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0F1BRSF	NEXPERIA	获取价格	Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0F1BSF	NEXPERIA	获取价格	Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0F1USF	NEXPERIA	获取价格	Extremely low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction
PESD5V0F1USF,315	NXP	获取价格	PESD5V0F1USF - Extremely low capacitance unidirectional ESD protection diode
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