是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-XBCC-N2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.61 | 最大击穿电压: | 10 V |
最小击穿电压: | 6 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | R-XBCC-N2 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 35 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
参考标准: | IEC-60134; IEC-61000-4-2; IEC-61000-4-5 | 最大重复峰值反向电压: | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PESD5V0L1BSF-315 | NXP |
获取价格 |
DIODE 35 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, 0.60 X 0.30 MM, 0.30 MM HEIGHT, HALOGEN FRE | |
PESD5V0L1BSL | NEXPERIA |
获取价格 |
ESD protection deviceProduction | |
PESD5V0L1UA | NXP |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes | |
PESD5V0L1UA | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0L1UA | UMW |
获取价格 |
反向截止电压(Vrwm):5v;极性/通道数(Channel):1-Line,Bidire | |
PESD5V0L1UA,115 | NXP |
获取价格 |
PESD5V0L1UA; PESD5V0L1UB; PESD5V0L1UL - Low capacitance unidirectional ESD protection diod | |
PESD5V0L1UA-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional ESD protection diodeProduction | |
PESD5V0L1UB | NXP |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional ESD protection diodes | |
PESD5V0L1UB | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional ESD protection diodesProduction | |
PESD5V0L1UB | UMW |
获取价格 |
反向截止电压(Vrwm):5v;极性/通道数(Channel):1-Line,Bidire |