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PESD5V0F1BL,315

更新时间： 2024-11-18 21:11:07
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
12页 112K
描述
PESD5V0F1BL - Femtofarad bidirectional ESD protection diode DFN 2-Pin

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PESD5V0F1BL,315 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DFN包装说明：R-PBCC-N2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：3.75其他特性：LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：10 V最小击穿电压：6 V
击穿电压标称值：8 V最大钳位电压：15 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PBCC-N2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性：BIDIRECTIONAL最大重复峰值反向电压：5.5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

PESD5V0F1BL,315 数据手册

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PESD5V0F1BL  
Femtofarad bidirectional ESD protection diode  
Rev. 3 — 24 October 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Femtofarad bidirectional ElectroStatic Discharge (ESD) protection diode in a leadless  
ultra small SOD882 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to protect  
one signal line from the damage caused by ESD and other transients. The combination of  
extremely low capacitance, high ESD maximum rating and ultra small package makes the  
device ideal for high-speed data line protection and antenna protection applications.  
1.2 Features and benefits  
Bidirectional ESD protection of one line ESD protection up to 10 kV  
Femtofarad capacitance: Cd = 400 fF  
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)  
AEC-Q101 qualified  
Low ESD clamping voltage: 30 V  
at 30 ns and 8 kV  
Very low leakage current: IRM < 1 nA  
1.3 Applications  
10/100/1000 Mbit/s Ethernet  
FireWire  
Portable electronics  
Communication systems  
Computers and peripherals  
High-speed data lines  
Subscriber Identity Module (SIM) card Audio and video equipment  
protection  
Cellular handsets and accessories  
Antenna protection  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
Symbol Parameter  
Per device  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VRWM  
Cd  
reverse standoff voltage  
diode capacitance  
-
-
-
5.5  
V
f = 1 MHz; VR = 0 V  
0.4  
0.55  
pF  
 
 
 
 
 
1234567...12

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