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PEMB30,115 PDF预览

PEMB30,115

更新时间： 2024-11-15 15:47:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 60K
描述
PEMB30; PUMB30 - PNP/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open SOT 6-Pin

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PEMB30,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.36其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PEMB30,115 数据手册

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PEMB30; PUMB30  
PNP/PNP double resistor-equipped transistors;  
R1 = 2.2 kΩ, R2 = open  
Rev. 02 — 2 September 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)  
plastic packages  
Table 1.  
Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
NPN/PNP  
complement  
NPN/NPN  
complement  
JEITA  
-
PEMB30  
PUMB30  
SOT666  
SOT363  
PEMD30  
PUMD30  
PEMH30  
PUMH30  
SC-88  
1.2 Features  
I 100 mA output current capability  
I Built-in bias resistors  
I Reduces component count  
I Reduces pick and place costs  
I Simplifies circuit design  
1.3 Applications  
I Low current peripheral driver  
I Cost-saving alternative for BC857BS  
and BC857BV  
I Control of IC inputs  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per transistor  
VCEO collector-emitter voltage  
IO  
open base  
-
-
−50  
V
output current  
-
-
−100  
2.86  
mA  
kΩ  
R1  
bias resistor 1 (input)  
1.54  
2.2  
 
 
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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