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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSBC144EPDXV6T5G | ONSEMI |
功能相似  |
Complementary Bias Resistor Transistors |
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| NSBC144EPDP6T5G | ONSEMI |
功能相似 |
Complementary Bias Resistor Transistors |
|
| NSBC144EPDXV6T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PEMD12,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD12; PUMB12 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
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| PEMD12,315 | NXP |
获取价格 |
PEMD12; PUMB12 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
|
| PEMD13 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm |
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| PEMD13 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double |
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| PEMD14 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kW, R2 = open |
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| PEMD14 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped transi |
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| PEMD14,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD14; PUMD14 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = open SOT 6-Pin |
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| PEMD15 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 4.7 kW |
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| PEMD15 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double |
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| PEMD15,315 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal |
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