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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PEMD16 | NXP |
完全替代  |
NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 22 kW, R2 = 47 kW |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PEMD17 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors |
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| PEMD17,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD17; PUMD17 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 22 kOhm SOT 6-P |
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| PEMD18 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACK |
|
| PEMD18 | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| PEMD18,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD18; PUMD18 - NPN/PNP resistor-equipped tr |
|
| PEMD19 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors |
|
| PEMD19 | PHILIPS |
获取价格 |
Transistor |
|
| PEMD19,115 | NXP |
获取价格 |
PEMD19; PUMD19 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = open SOT 6-Pin |
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| PEMD2 | NXP |
获取价格 |
NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kohm, R2 = 22 kohm |
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| PEMD2 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double |
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