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PEMD16,115 PDF预览

PEMD16,115

更新时间： 2024-11-15 15:47:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 86K
描述
PEMD16; PUMD16 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k Ohm, R2 = 47 k Ohm SOT 6-Pin

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PEMD16,115 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：PLASTIC PACKAGE-6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PEMD16,115 数据手册

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PEMD16; PUMD16  
NPN/PNP resistor-equipped transistors;  
R1 = 22 k, R2 = 47 k  
Rev. 3 — 28 June 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
NPN/PNP resistor-equipped transistors.  
Table 1. Product overview  
Type number  
Package  
NXP  
PNP/PNP  
complement  
NPN/NPN  
complement  
JEITA  
-
PEMD16  
PUMD16  
SOT666  
SOT363  
PEMB16  
PUMB16  
PEMH16  
PUMH16  
SC-88  
1.2 Features and benefits  
Built-in bias resistors  
Simplifies circuit design  
Reduces component count  
Reduces pick and place cost  
1.3 Applications  
Low current peripheral driver  
Control of IC inputs  
Replacement of general-purpose transistors in digital applications  
1.4 Quick reference data  
Table 2.  
Symbol  
VCEO  
IO  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
-
Typ  
-
Max  
50  
Unit  
V
collector-emitter voltage  
output current  
open base  
-
-
100  
28.6  
2.6  
mA  
k  
R1  
bias resistor 1 (input)  
bias resistor ratio  
15.4  
1.7  
22  
2.1  
R2/R1  
 
 
 
 
 
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PEMD16,115 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PEMD16 NXP

完全替代

 NPN/PNP resistor-equipped transistors R1 = 22 kW, R2 = 47 kW

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