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PEMD30

更新时间： 2024-01-20 23:46:54

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	77K
描述
NPN/PNP double resistor-equipped transistors R1 = 2.2 kW, R2 = open

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PEMD30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
最小直流电流增益 (hFE)：	30	元件数量：	2
极性/信道类型：	NPN/PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PEMD30 数据手册

PEMD30; PUMD30

NPN/PNP double resistor-equipped transistors;

R1 = 2.2 kΩ, R2 = open

Rev. 01 — 31 March 2006

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD)

plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

Philips

PNP/PNP

complement

NPN/NPN

complement

JEITA

PEMD30

PUMD30

SOT666

SOT363

PEMB30

PUMB30

PEMH30

PUMH30

SC-88

1.2 Features

I 100 mA output current capability

I Built-in bias resistors

I Reduces component count

I Reduces pick and place costs

I Simpliﬁes circuit design

1.3 Applications

I Low current peripheral driver

I Cost-saving alternative for BC847BPN

and BC847BVN

I Control of IC inputs

I Switching loads

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity

V_CEO

I_O

collector-emitter voltage

output current

open base

100

2.86

kΩ

bias resistor 1 (input)

1.54

2.2

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PEMD30,115	NXP	获取价格	PEMD30; PUMD30 - NPN/PNP double resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = open SO
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