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PEMD6

更新时间: 2024-09-27 11:12:19
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
50 V, 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = openProduction

PEMD6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN AND PNP表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PEMD6 数据手册

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PEMD6  
50 V, 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor;  
R1 = 4.7 kΩ, R2 = open  
5 January 2023  
Product data sheet  
1. General description  
NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a ultra small flat lead SOT666 Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
NPN/NPN complement: PEMH7  
PNP/PNP complement: PEMB3  
2. Features and benefits  
Built-in bias resistors  
Simplifies circuit design  
Reduces component count  
Reduces pick and place costs  
3. Applications  
Low current peripheral driver  
Controlling IC inputs  
Replaces general-purpose transistors in digital applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Per transistor; for the PNP transistor with negative polarity  
VCEO  
collector-emitter  
voltage  
open base  
-
-
50  
V
IO  
output current  
-
-
100  
6.1  
mA  
kΩ  
R1  
bias resistor 1 (input)  
3.3  
4.7  
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
GND1  
I1  
Description  
Simplified outline  
Graphic symbol  
O1  
I2 GND2  
GND (emitter) TR1  
input (base) TR1  
6
5
4
2
R1  
3
O2  
output (collector) TR2  
GND (emitter) TR2  
input (base) TR2  
TR2  
4
GND2  
I2  
TR1  
5
R1  
1
2
3
6
O1  
output (collector) TR1  
SOT666  
GND1  
I1  
O2  
006aaa269  
 
 
 
 
 

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