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PEMD17,115

更新时间： 2024-01-10 23:04:34

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	58K
描述
PEMD17; PUMD17 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = 22 kOhm SOT 6-Pin

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PEMD17,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.39	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.68
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN AND PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PEMD17,115 数据手册

PEMD17; PUMD17

NPN/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 47 kΩ, R2 = 22 kΩ

Rev. 03 — 24 January 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

NPN/PNP resistor-equipped transistors.

Table 1:

Product overview

Type number

Package

PNP/PNP

NPN/NPN

complement

Philips

SOT666

SOT363

JEITA

PEMD17

PUMD17

PEMB17

PUMB17

PEMH17

PUMH17

SC-88

1.2 Features

■ Built-in bias resistors

■ Simpliﬁes circuit design

■ Reduces component count

■ Reduces pick and place cost

1.3 Applications

■ Low current peripheral driver

■ Control of IC inputs

■ Replacement of general-purpose transistors in digital applications

1.4 Quick reference data

Table 2:

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

open base

100

kΩ

0.37

0.47

R2/R1

0.57

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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